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  • 型号: IPI200N15N3 G
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IPI200N15N3 G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPI200N15N3 G价格参考。InfineonIPI200N15N3 G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IPI200N15N3 G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IPI200N15N3 G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/IPD200N15N3_Rev2.02.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be

产品图片

产品型号

IPI200N15N3 G

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

OptiMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 90µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1820pF @ 75V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

31nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

20 毫欧 @ 50A,10V

供应商器件封装

PG-TO262-3

其它名称

IPI200N15N3GHKSA1
SP000414724

功率-最大值

150W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA

标准包装

500

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

50A (Tc)

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